Нелинейные оптические процессы в легированных полупроводниковых сверхрешетках

Abstract

Для легированных полупроводниковых сверхрешеток проанализированы эффекты насыщения поглощения и изменения показателя преломления в зависимости от уровня их возбуждения и конструктивных параметров. Расчеты проведены с учетом хвостов плотности состояний и экранирования электростатического потенциала. Показано, что в легированных сверхрешетках может наблюдаться "затемнение”, т е. увеличение коэффициента поглощения на фиксированной частоте при возрастании интенсивности света. Для S-легированных сверхрешеток проявляется более сильная по сравнению с типичными структурами немонотонность изменения показателя преломления с ростом уровня возбуждения.