Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/280795Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Кононенко, В. К. | - |
| dc.contributor.author | Манак, И. С. | - |
| dc.contributor.author | Ушаков, Д. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-06-06T11:52:23Z | - |
| dc.date.available | 2022-06-06T11:52:23Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Журн. прикл. спектр., 74, № 6 (2007) 103—108 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/280795 | - |
| dc.description.abstract | С учетом хвостов плотности состояний, возникающих в результате флуктуаций концентрации примесей, рассчитаны спектры спонтанного испускания легированных полупроводниковых сверхрешеток. В рамках развитой модели дано объяснение наблюдаемых длинноволнового крыла и сдвига спектров фотолюминесценции с ростом уровня возбуждения и температуры. Обсуждается роль образующихся при а-облучении дефектов, оценено время жизни носителей тока в зависимости от конструктивных параметров и условий возбуждения легированных сверхрешеток на GaAs. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа частично финансировалась Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (проекты № Ф99Р-119/620 и Ф02Р-095/698). Экспериментальные исследования выполнены (Г.В.К.) в Университете Претории (ЮАР). | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Наука и техника | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Перестраиваемые спектры фотолюминесценции легированных полупроводниковых сверхрешеток | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | Taking into account the density state tails appearing due to fluctuations o f impurity concentrations, the spontaneous emission spectra o f doping semiconductor superlattices are calculated. In the framework o f the model developed, the explanation o f the experimentally observed longwave edge and shift o f the photoluminescence spectra with increase in the excitation level and temperature is given. The role o f the defects form ed on а-irradiation is discussed, the lifetime o f current carriers is evaluated depending on the design parameters and excitation conditions o f the GaAs doping superlattices. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| elibrary_8896420_51889169.pdf | 171,85 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.