Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/280680
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ушаков, Д. В. | - |
dc.contributor.author | Афоненко, А. А. | - |
dc.contributor.author | Хабибуллин, Р. А. | - |
dc.contributor.author | Дубинов, А. А. | - |
dc.contributor.author | Морозов, С. В. | - |
dc.contributor.author | Фадеев, М. А. | - |
dc.contributor.author | Уточкин, В. В. | - |
dc.contributor.author | Алешкин, В. Я. | - |
dc.contributor.author | Михайлов, Н. Н. | - |
dc.date.accessioned | 2022-06-03T09:35:56Z | - |
dc.date.available | 2022-06-03T09:35:56Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.citation | Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.). В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. — С. 889-890. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/280680 | - |
dc.description.abstract | Методом балансных уравнений проведен расчет температурной зависимости токовой чувствительности ИК ККД на основе 3-5 квантовых ям Cd0.3Hg0.7Te и барьерных слоев Cd0.6Hg0.4Te. Показано, что расчетная токовая чувствительность на длине волны 8 мкм структуры c 4 КЯ со ступенчатым дизайном рабочих уровней растет с увеличением температуры вплоть до 2.7 мА/Вт при 150 K и далее падает, и при комнатной температуре составляет 1.7 мА/Вт. По данным in situ эллипсометрии показана высокая точность толщин слоев (~0.2 нм) выращенного экспериментального образца ККД и измерена температурная зависимость спектров фотолюминесценции. | ru |
dc.description.sponsorship | Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ № 20-52-50004. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Нижний Новгород : Изд-во Нижегородского госуниверситета | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Моделирование квантово-каскадных детекторов ИК диапазона на основе CdHgTe | ru |
dc.type | conference paper | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
НАНО-2021v2_889-890.pdf | 1,31 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.