ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРЫ НАНОКРИСТАЛЛОВ А3В5, СФОРМИРОВАННЫХ В КРЕМНИЕВОЙ МАТРИЦЕ ИОННО-ЛУЧЕВЫМ МЕТОДОМ

Abstract

Методом просвечивающей электронной микроскопии изучены структурные особенности нанокристаллов, сформи- рованных в кремниевой матрице высокодозной имплантацией (As+In) при комнатной и повышенной (500 °С) температу- ре с последующим быстрым термическим отжигом. Проанализированы картины муарового контраста, наблюдавшиеся для нанокристаллов. Для мелких преципитатов расстояние между полосами муара (период муара) составляет 1,8 нм и совпадает с расчетным значением для кристаллического InAs. Для крупных преципитатов отмечено увеличение перио- да муара, которое приписывается вхождению в состав нанокристаллов избыточных атомов As или In. При анализе тем- нопольных ПЭМ-изображений обнаружен эффект свечения границ преципитатов, который связывается с дислокацион- ными сетками вокруг каждого отдельного преципитата, возникшими в результате релаксации механических напряже- ний на границе нанокристалл/Si.