ОСАЖДЕНИЕ ПЛЕНОК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ НА КРЕМНИИ ИМПУЛЬСНОЙ ИОННОЙ АБЛЯЦИЕЙ И ИХ СВОЙСТВА

Abstract

Перспективным направлением электроники является объединение соединений AIIIBV, обладающих уникальными оп- тическими и электрическими свойствами, с кремнием, как эффективной и экономичной подложкой. Проблемы роста полярного полупроводника на неполярной подложке решены частично и стимулируют поиск новых методов получения структур GaAs на Si. Импульсные методы осаждения пленок обладают преимуществами по сравнению с традиционны- ми. Осаждение GaAs из плазмы, создаваемой мощным ионным пучком, не уступает по скорости роста и качеству плен- кам, синтезированным импульсными методами. Свойства пленок, осажденных импульсной ионной абляцией изучены недостаточно. В работе исследованы оптические, электрические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажден- ных на поликристаллический кремний из плазмы, сформированной ионным пучком. Установлено влияние на характери- стики пленок термического отжига при Р≤10-2 Па, Тотж=300-900 К. Характеристики пленок GaAs/Si в зависимости от усло- вий их осаждения меняются в широких пределах. Влияние Si отражается на полевых, температурных, энергетических, барьерных и спектральных характеристиках структуры Ag/GaAs/Si. Отжиг меняет свойства пленок вследствие измене- ния их стехиометрического состава, аннигиляции дефектов, преобразования их в комплексы и изменений морфологии. Оптимальные свойства получены после отжиге при 300-600 К.