Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Статьи сотрудников факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/280299
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorУшаков, Д. В.-
dc.contributor.authorКононенко, В. К.-
dc.date.accessioned2022-05-30T11:22:26Z-
dc.date.available2022-05-30T11:22:26Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationЖурн. прикл. спектр., 78, № 1 (2011) 71—80ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/280299-
dc.description.abstractНа основе 4-зонного k ⋅ p-метода проведены численные расчеты энергетических характеристик квантоворазмерных структур Si1−xGex–Si с одиночными квантовыми ямами. Получены аналитические выражения для параметров Латтинджера в зависимости от компонентного состава соединений Si1−xGex. В приближении эффективной массы приведены аналитические выражения для энергии ħω оптических зона-зонных переходов, которые хорошо согласуются с численными расчетами k ⋅ p-методом, что позволяет достаточно точно определять пределы изменения ħω при варьировании компонентного состава и толщины активных и барьерных слоев.ru
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : Наука и техникаru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleРасчет энергетических характеристик Si1−xGex–Si структур с одиночными квантовыми ямамиru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeNumerical calculations of energy characteristics of Si1−xGex–Si quantum-size structures with a single quantum well were carried out on the basis of the four-band k ⋅p method. Analytical expressions for the Luttinger parameters are obtained depending on the component composition of Si1−xGex compounds. In the effective mass approximation the analytical expressions for the energy hw of the optical band-to-band transitions are given, which are in good agreement with the numerical calculations by the kp method, that allows one accurately to determine the range of ħω changes at varying the component composition and thickness of the active and barrier layersru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
46-2011JAS_Ushakov_ru.pdf498,55 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.