НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНОГО СЛОЯ СИЛИЦИДА ПЛАТИНЫ ДЛЯ СИЛОВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ

Abstract

Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронной дифракции, Резерфордовского обратного рас- сеяния, измерения сопротивлений проведены исследования структурных и электрофизических свойств контактных сло- ев силицидов платины, формируемых в ходе низкотемпературных термообработок (100–360 ºC) слоев Pt/Si. Исследо- ваны основные температурно-временные зависимости процессов силицидообразования, в том числе и в зависимости от толщины нанесенных пленок платины. Установлено, что формирование фазы Pt2Si происходит уже при 180 ºC. В температурном диапазоне 180-240 °C обнаружено формирование только фазы Pt2Si. При температурах 200-220 °C полного перехода пленки платины в фазу силицида не наблюдается. Формирование фазы PtSi происходит при темпе- ратурах выше 240 °C. Показано, что низкотемпературная термообработка более предпочтительна с позиции однород- ности формируемых силицидных слоев (по толщине, по размеру поликристаллических зерен).