Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/274192Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Brinkevich, D. I. | - |
| dc.contributor.author | Brinkevich, S. D. | - |
| dc.contributor.author | Petlitsky, A. N. | - |
| dc.contributor.author | Prosolovich, V. S. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-01-13T14:51:53Z | - |
| dc.date.available | 2022-01-13T14:51:53Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Russian Microelectronics. – 2021. – Vol. 50. – P. 239–245. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/274192 | - |
| dc.description.abstract | The Fourier transform infrared spectroscopy of the attenuated total reflection (ATR), solutions and films of a positive diazoquinone-novolac (DN) FP9120 photoresist (PR) are investigated. The bands at 966, 1110, 1240, and 1735 cm^–1, caused by the absorption of the solvent 1-methoxy-2-propyl acetate (MPA), are dominant in the ATR spectra of the PR solution. The solvent is completely removed from the 1.0–5.0- μm-thick PR films during drying at temperatures of ~90°C for 1 hour. It is preferable to detect the residual solvent in solid PR films using the 966 cm^–1 band. The intensity of the vibrations related to aromatic rings (bands in the range 1510–1610 cm^–1) increases after drying. The band at 1452 cm^–1 is due to the valent vibrations related to the CH2 bridge between the aromatic rings of phenol-formaldehyde resin and after drying it splits into 2 bands. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | Pleiades Publishing, Ltd. | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Transformation of the Spectra of a Attenuated Total Reflection when Drying a Diazoquinone-Novolach Photoresist | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.DOI | 10.1134/S106373972104003X | - |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.

