Влияние плотности дефектов упаковки на люминесцентные характеристики структур оптически накачиваемых лазеров на основе Cd(Zn)Se квантовых точек, излучающих в желто-зеленой области спектра

Войнилович, А. Г.; Павловский, В. Н.; Шуленкова, В. А.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Гронин, C. В.; Климко, Г. В.; Сорокин, C. В.; Седова, И. В.; Иванов, С. В.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271757

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Войнилович, А. Г.
dc.contributor.author	Павловский, В. Н.
dc.contributor.author	Шуленкова, В. А.
dc.contributor.author	Луценко, Е. В.
dc.contributor.author	Яблонский, Г. П.
dc.contributor.author	Гронин, C. В.
dc.contributor.author	Климко, Г. В.
dc.contributor.author	Сорокин, C. В.
dc.contributor.author	Седова, И. В.
dc.contributor.author	Иванов, С. В.
dc.date.accessioned	2021-11-12T07:30:59Z	-
dc.date.available	2021-11-12T07:30:59Z	-
dc.date.issued	2021
dc.identifier.citation	Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 241-244.
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/271757	-
dc.description.abstract	При создании приборных гетероструктур полупроводниковых лазеров необходим тщательный контроль плотности структурных дефектов. В настоящей работе приведен пример выявления дефектов упаковки в структурах оптически накачиваемых лазеров на основе квантовых точек Cd(Zn)Se, излучающих в желто-зеленой области спектра с использованием люминесцентной микроскопии. Проанализированы пространственные картины фотолюминесценции поверхности гетероструктур и их спектры фотолюминесценции в зависимости от плотности дефектов упаковки в диапазоне ~10 4 –10 7 см-2. Показано, что величина отношения интенсивности полосы, связанной с глубокими уровнями, к интенсивности полосы межзонной рекомбинации R DL существенно возрастает с ростом числа дефектов упаковки, начиная со значения (2-3)‧10 5 см -2 . Установлено, что величина R DL может использоваться как интегральный показатель кристаллического качества гетероструктур с активной областью Cd(Zn)Se
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.subject	ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
dc.title	Влияние плотности дефектов упаковки на люминесцентные характеристики структур оптически накачиваемых лазеров на основе Cd(Zn)Se квантовых точек, излучающих в желто-зеленой области спектра
dc.title.alternative	Influence of the stacking fault density on the luminescence characteristics of structures of optically pumped lasers based on Cd(Zn)Se quantum dots emitting in the yellow-green spectral region / A.G. Vainilovich, V.N. Pavlovskii, B.A. Shulenkova, E.V. Lutsenko, G.P. Yablonskii, S.V. Gronin, G.V. Klimko, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov
dc.type	conference paper
dc.identifier.deposit	№ 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021
dc.description.alternative	When creating device structures of semiconductor lasers, careful control of the structural defect density is required. In this paper, an example of the luminescence microscopy detection of stacking faults in the optically pumped Cd(Zn)Se quantum dot heterostructures emitting in the yellow-green spectral region is given. The spatial photoluminescence patterns and photoluminescence spectra are analyzed depending on the density of stacking faults in the range of ~ 10 4 –10 7 cm-2. It is shown that the ratio of the intensity of the band associated with deep levels to the intensity of near band edge emission R DL significantly increases with an increase in the number of stacking faults, starting from a value of 2-3‧10 5 cm -2 . It was found that the R DL value can be used as an integral indicator of the crystal quality of the heterostructures with a Cd(Zn)Se active region
Располагается в коллекциях:	2021. Квантовая электроника

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
241-244.pdf		1,36 MB	Adobe PDF	Открыть

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.