Особенности формирования базового диэлектрика при вертикальном масштабировании микросхем

Abstract

In IC vertical scaling with the bulk depth reduction of the formed p–n junctions the base dielectric thickness is necessitated to be accordingly decreased. It is shown, that the most of the requirements to the parameters and the quality of the base dielectric in scaling are met by the system SiO2 – Si3N4 0,02 and 0,13 um thick appropriately, which application ensures its double reproduction. = При вертикальном масштабировании интегральных микросхем с уменьшением глубин залегания формируемых p−n-переходов требуется одновременное уменьшение толщины базового диэлектрика. Показано, что наиболее полно всем требованиям, предъявляемым к параметрам и качеству базового диэлектрика при масштабировании, отвечает система SiO2 – Si3N4 толщиной 0,02 и 0,13 мкм соответственно, использование которой обеспечивает возможность его проведения до двух раз.