Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271126| Заглавие документа: | Отжиг слоев нанопористого германия некогерентным импульсом света |
| Другое заглавие: | Annealin of nanoporous germanium layers by incoherent light pulse / Andrey L. Stepanov, Yahia V. Fattakhov, Sergey M. Khantimerov, Vladimir I. Nuzhdin, Valery F. Valeev, Dmitry A. Konovalov, Bulat F. Farrakhov, Alexey M. Rogov |
| Авторы: | Степанов, А. Л. Фаттахов, Я. В. Хантимеров, С. М. Нуждин, В. И. Валеев, В. Ф. Коновалов, Д. А. Фаррахов, Б. Ф. Рогов, А. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 354-358. |
| Аннотация: | Методами сканирующей электронной микроскопии и оптического отражения установлено, что в результате ионной имплантации ионами Ag + на поверхности подложек с-Ge образуется аморфный пористый слой Ag:PGe губчатой структуры, состоящий из нанонитей Ge. Установлено, что отжиг c последовательным возрастанием длительности импульсов от 1 до 5 с приводит к увеличению диаметров нанонитей Ge от 26 до 35 нм, составляющих гупкоподобную структуру Ag:PGe, сформированную ионной имплантацией. Предполагается, что увеличение диаметров нанонитей объясняется механизмом Оствальдовского созревания в нагретых при отжиге образцов. Отжиг с импульсами, превышающими длительность 5 с, приводит к разрушению пористой структуры Ag:PGe и испарению Ag из образцов. Наблюдается частичная рекристаллизация имплантированных слоев Ag:PGe, подвергнутых отжигу некогерентными импульсами света с длительностью более 1 с |
| Аннотация (на другом языке): | It was found that annealing with an increase in the pulse duration to 5 s consequently leads to an increase in the diameters of Ge nanowires from 26 to 35 nm, which constitute an amorphous sponge-like structure of Ag:PGe with nanowires formed by ion implantation. It was assumed that the increase in nanowire diameters is explained by the mechanism of Ostwald ripening in samples heated during annealing. Annealing with pulses exceeding 5 s leaded to the destruction of the porous structure and evaporation of Ag from the samples. Partial recrystallization of the implanted Ag:PGe layers annealed by incoherent light pulses with a duration of more 1 s was observed |
| Доп. сведения: | Секция 3. Модификация свойств материалов = Section 3. Modification of material properties |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271126 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при финансовой поддержке Российским научным фондом (грант № 19-79-10216) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 354-358.pdf | 584,64 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.