Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271103Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | |
| dc.date.accessioned | 2021-10-28T08:18:57Z | - |
| dc.date.available | 2021-10-28T08:18:57Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 259-263. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271103 | - |
| dc.description | Секция 3. Модификация свойств материалов = Section 3. Modification of material properties | |
| dc.description.abstract | В работе методом индентирования исследовано влияние γ-облучения на адгезионные свойства пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120, нанесенных на пластины монокристаллического кремния методом центрифугирования. Установлено, что γ-облучение приводит к снижению значений удельной энергия отслаивания G фоторезистивных пленок на кремнии. При этом в ИК-спектрах фоторезиста в ходе γ-облучения было отмечено уменьшение интенсивности полос колебаний, связанных с Si-O-C фрагментом, ответственным за адгезию к кремнию. Экспериментальные результаты объяснены с учетом радиационно-индуцированных и релаксационных процессов, протекающих как на границе раздела фоторезист/кремний, так и в объеме полимерной пленки | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Адгезия гамма-облученных пленок позитивного фоторезиста к монокристаллическому кремнию | |
| dc.title.alternative | Adhesion of gamma-irradiated films of a positive photoresist to single crystalline silicon / S.A. Vabishchevich, N.V. Vabishchevich, D.I. Brinkevich, V.S. Prosolovich | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The effect of γ-irradiation on the adhesion properties of diazoquinone-novolac photoresist FP9120 films, deposited on single-crystal Si wafers by centrifugation, was investigated by the indentation. It was found that γ-irradiation leads to a decrease the specific exfoliation energy of photoresist films on silicon. The effect is most pronounced for photoresist films previously implanted with P + or B + ions. The observed effect is associated with a set of radiation-chemical and relaxation processes occurring both at the photoresist/silicon interface and in the bulk of the polymer film. Crosslinking of novolac macromolecules in the volume of the polymer with a change in the density of the photoresist, relaxation of stresses in the film due to conformational rearrangements of macromolecules during γ-irradiation, as well as the accumulation of charge at the interface can lead to a decrease in adhesion. ATR IR spectrometry data indicate that a decrease in the adhesion of the photoresist to monocrystalline silicon under γ-irradiation occurs, among other things, due to the destruction of ester cross-links formed by hydroxyl groups on the surface of the oxide layer of the silicon wafer and carboxyl groups of 1-H-indene-3-carboxylic acid grafted to novolac resin | |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 259-263.pdf | 336,02 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.