Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271092
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ташмухамедова, Д. А. | |
dc.contributor.author | Умирзаков, Б. Е. | |
dc.contributor.author | Эргашов, Е. С. | |
dc.contributor.author | Юсупжанова, М. Б. | |
dc.contributor.author | Ураков, А. Н. | |
dc.contributor.author | Еркулов, Р. М. | |
dc.date.accessioned | 2021-10-28T08:18:55Z | - |
dc.date.available | 2021-10-28T08:18:55Z | - |
dc.date.issued | 2021 | |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 215-217. | |
dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271092 | - |
dc.description | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids | |
dc.description.abstract | Впервые исследовано влияние адсорбции атомов Ba с толщиной θ ≤ 3 – 4 монослоя и имплантации ионов Ba + с энергией Е0 = 0.5 – 2 кэВ на плотность состояний электронов валентной зоны, параметров энергетических зон, эмиссионных и оптических свойств Ge (111). Показано, что при адсорбции атомов Ba с θ = 1 монослой значение термоэлектрической работы выхода ϕ уменьшается на 1.9 эВ, а значение коэффициента вторичной электронной эмиссии m и квантового выхода фотоэлектронов Y увеличивается в 1.5 – 2 раза. В случае имплантации ионов Ba+ с Е0 = 0.5 кэВ при дозе облучения D = 610 16 см -2 плотность состояния валентных электронов и параметры энергетических зон резко изменяются; квантовый выход фотоэлектронов увеличивается в 2 и более раз | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | Минск : БГУ | |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
dc.title | Изменение электронных и оптических свойств Ge при адсорбции атомов Ba и имплантации ионов Ва+ | |
dc.title.alternative | Modifying of electronic and optical properties of Ge of Ba atoms adsorption and implantation of Ba+ ions / D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov, Y.S. Ergashov, M.B. Yusupjanova, A.N. Urakov, R.M. Yorkulov | |
dc.type | conference paper | |
dc.description.alternative | The effect of the adsorption of Ba atoms with a thickness of θ ≤ 3 - 4 monolayers and the implantation of Ba+ ions with an energy of E 0 = 0.5 - 2 keV on the density of states of electrons in the valence band, the parameters of the energy bands, and the emission and optical properties of Ge (111) has been studied for the first time. It is shown that, upon adsorption of Ba atoms with = 1 monolayer, the value of the thermoelectric work function decreases by 1.9 eV, and the value of the secondary electron emission coefficient m and the quantum yield of photoelectrons Y increases by a factor of 1.5 - 2. In the case of implantation of Ba + ions with E 0 = 0.5 keV at an irradiation dose D = 610 16 cm -2 , the density of state of valence electrons and the parameters of the energy bands change sharply; the quantum yield of photoelectrons increases by a factor of 2 or more | |
Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
215-217.pdf | 472,89 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.