Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271092
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТашмухамедова, Д. А.
dc.contributor.authorУмирзаков, Б. Е.
dc.contributor.authorЭргашов, Е. С.
dc.contributor.authorЮсупжанова, М. Б.
dc.contributor.authorУраков, А. Н.
dc.contributor.authorЕркулов, Р. М.
dc.date.accessioned2021-10-28T08:18:55Z-
dc.date.available2021-10-28T08:18:55Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 215-217.
dc.identifier.issn2663-9939 (Print)
dc.identifier.issn2706-9060 (Online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/271092-
dc.descriptionСекция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids
dc.description.abstractВпервые исследовано влияние адсорбции атомов Ba с толщиной θ ≤ 3 – 4 монослоя и имплантации ионов Ba + с энергией Е0 = 0.5 – 2 кэВ на плотность состояний электронов валентной зоны, параметров энергетических зон, эмиссионных и оптических свойств Ge (111). Показано, что при адсорбции атомов Ba с θ = 1 монослой значение термоэлектрической работы выхода ϕ уменьшается на  1.9 эВ, а значение коэффициента вторичной электронной эмиссии  m и квантового выхода фотоэлектронов Y увеличивается в 1.5 – 2 раза. В случае имплантации ионов Ba+ с Е0 = 0.5 кэВ при дозе облучения D = 610 16 см -2 плотность состояния валентных электронов и параметры энергетических зон резко изменяются; квантовый выход фотоэлектронов увеличивается в 2 и более раз
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleИзменение электронных и оптических свойств Ge при адсорбции атомов Ba и имплантации ионов Ва+
dc.title.alternativeModifying of electronic and optical properties of Ge of Ba atoms adsorption and implantation of Ba+ ions / D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov, Y.S. Ergashov, M.B. Yusupjanova, A.N. Urakov, R.M. Yorkulov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe effect of the adsorption of Ba atoms with a thickness of θ ≤ 3 - 4 monolayers and the implantation of Ba+ ions with an energy of E 0 = 0.5 - 2 keV on the density of states of electrons in the valence band, the parameters of the energy bands, and the emission and optical properties of Ge (111) has been studied for the first time. It is shown that, upon adsorption of Ba atoms with  = 1 monolayer, the value of the thermoelectric work function  decreases by  1.9 eV, and the value of the secondary electron emission coefficient m and the quantum yield of photoelectrons Y increases by a factor of 1.5 - 2. In the case of implantation of Ba + ions with E 0 = 0.5 keV at an irradiation dose D = 610 16 cm -2 , the density of state of valence electrons and the parameters of the energy bands change sharply; the quantum yield of photoelectrons increases by a factor of 2 or more
Располагается в коллекциях:2021. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
215-217.pdf472,89 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.