Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271087Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бурмистров, Е. Р. | |
| dc.contributor.author | Авакянц, Л. П. | |
| dc.date.accessioned | 2021-10-28T08:18:54Z | - |
| dc.date.available | 2021-10-28T08:18:54Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 35-39. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271087 | - |
| dc.description | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids | |
| dc.description.abstract | Предложен новый комплексный подход к определению параметров двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN. Метод основан на регистрации терагерцовых частот двумерных плазмонных резонансов, возбуждаемых в исследуемых образцах гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN. Показано, что двумерный электронный газ, локализованный в квантовых ямах InGaN/GaN, демонстрирует резонансное поведение. Обнаружен эффект модуляции фазы вблизи частот плазмонных резонансов, а также перенормировки эффективной массы двумерного электронного газа с увеличением температуры образца от 90 К до 170 К | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Исследование динамических параметров двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN методом терагерцового плазмонного резонанса | |
| dc.title.alternative | Study of dynamic parameters of two-dimensional electronic gas in InGaN / GaN quantum wells by the terahertz plasmon resonance method / Е.R. Burmistrov, L.P. Avakyants | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | A new integrated approach to determination of parameters of two-dimensional electronic gas in quantum holes of InGaN/GaN is offered. The method is based on recording terahertz frequencies of two-dimensional plasmon resonances excited in the examined samples of heterostructures InGaN/AlGaN/GaN femtosecond laser pulses at a wave-length of 797 nm. It has been shown that a two-dimensional electron gas localized in quantum wells InGaN/GaN exhibits resonant behavior in the frequency range from 1-5 THz. The effect of phase modulation near the frequencies of plasmon resonances was found, as well as renormalization of the effective mass of a two-dimensional electron gas with an increase in the temperature of the sample from 90 K to 170 K. The proposed method is universal, non – contact and can be used in a wide temperature range | |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.