Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271079
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Казючиц, Н. М. | |
dc.contributor.author | Казючиц, В. Н. | |
dc.contributor.author | Королик, О. В. | |
dc.contributor.author | Русецкий, М. С. | |
dc.contributor.author | Кирилкин, Н. С. | |
dc.date.accessioned | 2021-10-28T08:18:52Z | - |
dc.date.available | 2021-10-28T08:18:52Z | - |
dc.date.issued | 2021 | |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 160-163. | |
dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271079 | - |
dc.description | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids | |
dc.description.abstract | Распределения интенсивности центров комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ) были измерены в алмазе, имплантированном ионами Хе с энергией 167 МэВ. До отжига наведенные облучением центры ФЛ обнаруживались на глубине в 1.5-2 раза превышающей средний пробег R p ионов Хе. После отжига центры ФЛ распространились глубже 3·R p. Глубокие «хвосты» распределения центров ФЛ были следствием пластической деформации алмаза при отжиге. Пластическая деформация алмаза при отжиге также ускоряла агрегацию азота | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | Минск : БГУ | |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
dc.title | Распределение оптически активных дефектов в облученных ионами ксенона алмазах до и после отжига | |
dc.title.alternative | Distribution of optically active defects in diamonds irradiated with xenon ions before and after annealing / Nikolai Kazuchits, Vasili Kazuchits, Olga Korolik, Mikhail Rusetsky, Nikita Kirilkin | |
dc.type | conference paper | |
dc.description.alternative | Depth profiles of intensities of Raman scattering (RS) and the photoluminescence (PL) signals have been measured in diamond implanted with 167 MeV Xe ions. Before annealing, the irradiation-induced PL centers were detected at a depth 1.5–2 times greater than the average range Rp of Xe ions. After annealing, PL centers were found at a depth more than 3Rp. Such deep tails of PL centers was a consequence of annealing-induced plastic deformation in diamond. In addition, plastic deformation of the diamond during annealing was also an accelerator of nitrogen aggregation | |
Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
160-163.pdf | 467,53 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.