Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271073Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Белько, В. И. | |
| dc.date.accessioned | 2021-10-28T08:18:51Z | - |
| dc.date.available | 2021-10-28T08:18:51Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 137-140. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271073 | - |
| dc.description | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids | |
| dc.description.abstract | Для моделирования роста кластеров собственных междоузлий и формирования {311}-дефектов в кремнии во время постимплантационного отжига применяется система дифференциальных уравнений реакции, которая может быть получена из системы уравнений реакции-диффузии интегрированием искомых функций по пространству. Получено отношение концентрации свободных междоузлий к их равновесной концентрации в зависимости от времени при разных значениях температуры и разном количестве уравнений в системе. Показано, что модель, основанная на системе обыкновенных дифференциальных уравнений, является приемлемой и в то же время намного более экономичной альтернативой системе уравнений реакции-диффузии – параболической системе уравнений в частных производных | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование формирования кластеров дефектов в ионно-облученном кремнии | |
| dc.title.alternative | Simulation of the formation of defect clusters in ion-irradiated silicon / Viktor Belko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | To simulate the growth of clusters of intrinsic interstitials and the formation of {311}-defects in silicon during postimplantation annealing, a system of differential equations is used, which can be obtained from the system of reaction-diffusion equations by integrating the distributions of n-interstitial clusters over space. The ratio of the concentration of free interstitials to their equilibrium concentration is obtained as a function of time for different temperatures and a different number of equations in the system. It is shown that the model based on the system of ordinary differential equations is an acceptable and at the same time much more economical alternative to the system of reaction-diffusion equations - a parabolic system of partial differential equations | |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 137-140.pdf | 372,33 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.