Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271022Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Борздов, А. В. | |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | |
| dc.date.accessioned | 2021-10-28T08:18:40Z | - |
| dc.date.available | 2021-10-28T08:18:40Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 23-25. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271022 | - |
| dc.description | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids | |
| dc.description.abstract | Проведено самосогласованное моделирование на основе многочастичного метода Монте-Карло фототока кремниевого фотодетектора со структурой металл-полупроводник-металл при воздействии пикосекундного импульса лазерного излучения с длиной волны 650 нм интенсивностью 10 10 Вт/м2. Исследован фотоотклик детекторов с омическими контактами и контактами с барьером Шоттки. Установлено, что время затухания фототока в структуре с барьером Шоттки меньше, чем в структуре с омическими контактами | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование методом Монте-Карло кремниевого фотодетектора со структурой металл-полупроводник-металл | |
| dc.title.alternative | Monte Carlo simulation of silicon photodetector with metal-semiconductor-metal structure / A.V. Borzdov, V.M. Borzdov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Self-consistent ensemble Monte Carlo simulation of photocurrent in silicon photodetector with metal-semiconductor-metal structure is performed. Photocurrent is simulated for picosecond laser irradiation with 650 nm wavelength and intensity of 10 10 W/m2. The lattice temperature is 300 K. The structures with ohmic contacts and contacts with Schottky barriers are considered. To provide an ohmic contacts the silicon regions under metal contacts are supposed to be doped by donor impurity at 10 23 m –3 level, while for Schottky contacts semiconductor is supposed to be pure. The spacing between contacts is 0.5 µm, the width of the absorbing silicon layer is 0.5 µm. The laser irradiation is supposed to be uniform in space and time. Only intrinsic absorbtion is regarded. The simulation shows that the photocurrent in the structure with Schottky contacts decays faster than in the structure with ohmic contacts | |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.