Тонкопленочные гетеропереходы In2S3/Sn(S,Se) для приложений фотовольтаики : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель М. С. Тиванов

Abstract

Целью проекта являлась разработка технологических процессов синтеза тонких пленок In2S3 и Sn(S,Se) и формирование гетеропереходов In2S3/Sn(S,Se) для создания фотоэлектрических преобразователей. Объектом исследования являлись тонкие пленки Sn(S,Se), In2S3, а также гетеропереходы Sn(S,Se)-In2S3, полученные методом вакуумного термического совместного испарения при различных температурах подложки и последующих отжигов. Предметы исследования – структурно-фазовый состав, оптические, электрические и фотоэлектрические свойства пленок в зависимости от температуры осаждения и последующих термообработок, а также электрические и фотоэлектрические свойства полученных на их основе гетеропереходов. В результате проведена структурная характеризация тонких пленок Sn(S,Se) и In2S3 при различных температурах подложки, исследованы основные физические свойства пленок, такие как структура, морфология и топография в зависимости от температуры подложки в диапазоне от 200 °C до 350 °C. Проанализированы спектры оптического отражения и пропускания, проведены расчеты оптических параметров – коэффициента поглощения, ширины запрещенной зоны, коэффициента преломления, энергии Урбаха. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства пленок Sn(S,Se) и In2S3, а также тонкопленочных гетеропереходов Sn(S,Se)-In2S3. По результатам проведенных исследований опубликованы 7 научных статей в международных журналах, 1 в материалах международной конференции.