Разработка физико-математических моделей и программных средств для расчета вольтамперных характеристик кремниевых диодных структур с учетом процессов ударной ионизации : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов

Abstract

Объект исследования — субмикронный кремниевый диод с p-n-переходом. Цель работы - создание физико-математических моделей, алгоритмов и программных средств численного кинетического моделирования вольтамперных характеристик кремниевых интегральных диодов на основе метода Монте-Карло. В результате выполнения НИР разработаны физико-математические модели процессов переноса электронов и дырок в кремниевых диодах с p-n-переходом для численного моделирования на основе многочастичного метода Монте-Карло. Учтены основные механизмы рассеяния носителей заряда в кремниевых диодах, а также процессы лавинного умножения в результате ударной ионизации и процессы генерации-рекомбинации носителей заряда через ловушки и путем прямого межзонного туннелирования. Разработаны соответствующие алгоритмы и программные средства численного моделирования вольтамперных характеристик кремниевых диодов с p-n-переходом. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании и производстве интегральных кремниевых диодов в ОАО «Интеграл» – управляющей компания холдинга «Интеграл».