ЛАЗЕРНО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ИНФРАКРАСНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ Ge/Si ГЕТЕРОСТРУКТУР

Abstract

Проведена оптико-пирометрическая диагностика лазерно-индуцированных процессов в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками. Образцы облучались наносекундными импульсами излучения рубинового лазера. Исследована динамика отражательной способности на длине волны 0.53 мкм и инфракрасного излучения, испускаемого зоной лазер- ного нагрева. Показано, что динамика детектируемого инфракрасного излучения определяется нестационарными пото- ками фотолюминесценции и теплового излучения зоны нагрева. При плотностях энергии, превышающих порог плавле- ния поверхности образцов, наблюдаются два пика интенсивности инфракрасного излучения, первый из которых соот- ветствует максимуму фотолюминесценции кремния до начала плавления поверхности, а второй достигается при её максимальной температуре на стадии плавления.