ИМПУЛЬСНО-ПУЧКОВЫЕ ОБРАБОТКИ В КРЕМНИЕВОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ - ВОЗМОЖНОСТИ И ПЕРСПЕКТИВЫ

Abstract

Проведен обзор методов и особенностей импульсных обработок, используемых в кремниевой микроэлектронике. Рассмотрены нестационарные температурные поля в полупроводниковых структурах, обусловленные воздействием интенсивных пучков излучений в широком диапазоне длительности воздействия. Проведен анализ отжига дефектов и диффузионного распределения примесей в твердофазном и жидкофазном режимах импульсных обработок импланти- рованных слоев и тонкопленочных покрытий. Показано, что роль импульсных термических обработок в значительной мере повышается при переходе микроэлектроники в нанометровый диапазон размеров элементов. Проведен обзор последних публикаций по развитию технических средств и по применению импульсных обработок для создания крем- ниевых интегральных схем и дискретных приборов. Рассмотрены перспективы использования импульсных обработок для создания новых функциональных материа- лов для микро- и оптоэлектроники.