Запись голографических дифракционных решеток в плёнках халькогенидных стеклообразных полупроводников: реферат дипломной работы/ Гаврусенок Илья Владимирович; физический факультет, кафедра лазерной физики и спектроскопии; научный руководитель доктор физ.-мат. наук, профессор А.Л. Толстик

Abstract

Объект исследования – халькогенидный стеклообразный полупроводник. Предмет исследования – анализ формирования дифракционных фазовых решеток, анализ результата травления дифракционных фазовых решеток. Цель исследования – оптимизация условий формирования рельефных дифракционных решеток в пленках сульфида мышьяка (As2S3) при голографической записи на длине волны волны 488 нм с последующей постэкспозиционной обработкой. Методы исследования: постановка эксперимента, численный расчет при помощи компьютерных средств обработки информации, в частности WolframMathematicaи MSExcel.