Амплитудно-частотные и фазово-частотные характеристики мощных СВЧ фотодиодов для систем радиофотоники: реферат дипломной работы/Шестак Станислав Витальевич; физический факультет, кафедра лазерной физики и спектроскопии; научные руководители канд. физ.-мат. наук, Чиж Александр Леонидович, канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры лазерной физики и спектроскопии БГУ Тарасов Дмитрий Сергеевич

Abstract

Цель работы – исследования p–i–n фотодиода с частично обедненной поглощающей областью и диаметром фоточувствительной области 20 мкм на основе двойной наногетероструктуры p + -InP / p + -InGaAs / n 0 -InGaAs / n + -InP и его амплитудно-частотных и фазово-частотных характеристик для устройств и систем радиофотоники. Объектом исследования является p–i–n фотодиод с частично обед- ненной поглощающей областью. Методы исследования: измерения фазы СВЧ-сигнала от постоянной составляющей фототока, исследования полученных амплитудно-частотных и энергетических характеристик.