Расчёт интенсивности рассеяния электронов на ионизированной примеси в полупроводниках методом Ридли

Abstract

В настоящей работе рассмотрены основные подходы к описанию процесса рассеяния электронов на ионизированной примеси при численном моделировании электрофизических свойств полупроводниковых структур. Проведён расчёт интенсивности рассеяния электронов на ионизированной примеси в рамках модели Брукса-Херринга и модели Ридли. Показано, что в области энергий электронов менее 0,1 эВ значения интенсивности рассеяния электронов, полученные в рамках модели Ридли, близки к уровню интенсивности рассеяния электронов в рамках модели Конуэлл-Вайскопфа, а при энергиях 0,1-1 эВ – близки к значениям, рассчитанным в рамках модели Брукса-Хэрринга. Таким образом, модель Ридли позволяет согласовать модели Конуэлл-Вайскопфа и Брукса-Хэрринга в данном диапазоне энергий электронов