Структура и электрические свойства гетероэпитаксиальных пленок InSb, полученных на подложке GaAs методом взрывного термического испарения : реферат дипломной работы / Колесникова Е.А.; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики твердого тела; науч. рук. Углов В.В.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/255194

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Колесникова, Е. А.	-
dc.date.accessioned	2021-02-02T12:49:23Z	-
dc.date.available	2021-02-02T12:49:23Z	-
dc.date.issued	2021	-
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/255194	-
dc.language.iso	ru	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	Структура и электрические свойства гетероэпитаксиальных пленок InSb, полученных на подложке GaAs методом взрывного термического испарения : реферат дипломной работы / Колесникова Е.А.; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики твердого тела; науч. рук. Углов В.В.	ru
dc.type	annotation	ru
dc.rights.license	CC BY 4.0	ru
Располагается в коллекциях:	Физика (ядерные физика и технологии). 2021

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
Диплом_Колесникова.pdf		1,52 MB	Adobe PDF	Открыть

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.