Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/253780
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.-
dc.contributor.authorПанфиленко, А. К.-
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.-
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorКовальчук, Н. С.-
dc.contributor.authorСоловьев, Я. А.-
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.-
dc.contributor.authorШестовский, Д. В.-
dc.date.accessioned2021-01-05T08:55:54Z-
dc.date.available2021-01-05T08:55:54Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationЖурнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2020. - № 3. - С. 55-64ru
dc.identifier.issn2520-2243-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/253780-
dc.description.abstractИсследованы силовые МОП-транзисторы с вертикальной структурой. В ряд приборов дополнительно производилась ионная имплантация азота с энергиями 20 и 40 кэВ в диапазоне доз 1 ⋅ 1013–5 ⋅ 1014 см–2 через защитный оксид толщиной 20 нм. Для одной группы пластин сначала выполнялся быстрый термический отжиг, затем осуществлялось снятие оксида (прямой порядок), для другой группы – в противоположной последовательности (обратный порядок). Установлено, что при дополнительном внедрении ионов азота дозами 1 ⋅ 1013–5 ⋅ 1013 см–2 с энергией 20 кэВ наблюдается увеличение заряда пробоя подзатворного диэлектрика для прямого порядка отжига. Максимальный эффект имел место для образцов при дозе ионов азота 1 ⋅ 1013 см–2 и прямом порядке термообработки. Это обусловлено взаимодействием в процессе отжига атомов азота с оборванными связями границы раздела Si – SiO2, в результате чего образуются прочные химические связи, препятствующие накоплению заряда на поверхности границы раздела Si – SiO2. Предположено, что основной вклад в ток утечки затвора вносит туннелирование носителей заряда через ловушки.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовru
dc.title.alternativeInfluence of nitrogen ion implantation on the electrophysical properties of the gate dielectric of power MOSFETs / V. B. Odzaev, A. K. Panfilenka, A. N. Pyatlitski, U. S. Prasalovich, N. S. Kovalchuk, Ya. A. Soloviev, V. A. Filipenia, D. V. Shestovskiru
dc.typearticleen
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.identifier.DOIhttps://doi.org/10.33581/2520-2243-2020-3-55-64-
dc.description.alternativePower MOS-transistors with vertical structure are investigated. Additionally, in some devices, ion implantation of nitrogen with energies of 20 and 40 keV was carried out in a dose range of 1 ⋅ 1013–5 ⋅ 1014 cm–2 through a sacrificial oxide 20 nm thick. For one group of wafers, rapid thermal annealing was first carried out, then oxide removal (forward order), for the other group – in the opposite sequence (reverse order). It was found that with the additional doping of nitrogen ions in doses of 1 ⋅ 1013–5 ⋅ 1013 cm–2 with energy of 20 keV, an increasing of gate dielectric charge to breakdown for both types of annealing is observed. The maximum effect occurred for the samples at a dose of nitrogen ions of 1 ⋅ 1013 cm–2 with the forward heat treatment order. This is due to the interaction of nitrogen atoms with dangling bonds of the Si – SiO2 interface during annealing, as a result of which strong chemical bonds are formed that prevent charge accumulation on the surface of the Si – SiO2 interface. It is assumed that the main contribution to the gate leakage current is made by the tunneling of charge carriers through traps.ru
Appears in Collections:2020, №3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
55-64.pdf1,32 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.