Формирование рельефа поверхности (001) монокристаллического Si при травлении в водных растворах KOH с повышенным содержанием K2CO3

Abstract

В данной работе исследовали влияние повышенного содержания K2CO3 (основной примеси) в водных растворах KOH с концентрацией 12 и 14 моль/дм3 на особенности формирования микроповерхностей Si вблизи вершины выпуклого прямого угла маски со сторонами типа <110> и <100> при температуре травления 60—80 °С. Установлен характер изменения кристаллографической ориентации, рельефа и скорости травления таких поверхностей от содержания K2CO3 в растворе KOH. Показано, что содержание K2CO3 свыше 0,05 моль/дм3 приводит к существенному изменению кристаллографической ориентации микроповерхностей, самоформирующихся под прямым углом типа <110> при растворении в изученных экспериментальных условиях. Следовательно, влияние содержания K2CO3 в KOH необходимо учитывать в технологии изготовления современных кремниевых микро- и наноприборов методом анизотропного маскированного травления.