Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/252127Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Степанова, Л. И. | - |
| dc.contributor.author | Барковская, Л. В. | - |
| dc.contributor.author | Пуровская, О. Г. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-07T13:16:03Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-07T13:16:03Z | - |
| dc.date.issued | 1994 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 2, Химия. Биология. География. – 1994. – № 1. – С. 15-19. | ru |
| dc.identifier.issn | 0372-5340 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/252127 | - |
| dc.description.abstract | Bath compositions and conditions for electroless Ni-W-P alloy plating on semiconductor GaAs have been investigated. Ni alloy with tungsten (7 mol. %) and phosphorus (9 mol. %) films with good adhesion to GaAs surface have been plated from a hot (80—90 'C) neutral or wekly alkaline (pH 7—9) solution that contained sodium citrate as a ligand of Ni2+ ions | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Университетское | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия | ru |
| dc.title | Химическое осаждение пленок Ni-W-P на поверхность монокристаллов арсенида галлия | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1994, №1 (февраль) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.