Влияние коронного разряда на оптические свойства тонкопленочных структур Cu-As2 Se3

Abstract

Изучено влияние поля коронного разряда на голографическую запись дифракционных решеток в тонко- пленочной структуре Cu-As2 Se3 , полученной методом термического осаждения в вакууме на стеклянных подложках. Установлено, что приложение отрицательного коронного разряда во время записи приводит к увеличению голографической чувствительности структуры Cu-As2 Se3 и дифракционной эффективности решеток. Облучение актиничным светом приводило к потемнению структуры Cu-As2 Se3 в спектральной области сильного поглощения и просветлению в области слабого поглощения. Приложение положительного коронного разряда приводило к усилению фотопросветления, а отрицательного коронного разряда — к его ослаблению. Полученные экспериментальные результаты качественно объясняются в предположении диффузии ионов Cu+ в пленку As2 Se3.