Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/246893Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Федотов, А. К. | - |
| dc.contributor.author | Тарасик, М. И. | - |
| dc.contributor.author | Янченко, А. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-07-29T12:01:38Z | - |
| dc.date.available | 2020-07-29T12:01:38Z | - |
| dc.date.issued | 1995 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1995. – № 2. – С. 36-40. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/246893 | - |
| dc.description.abstract | Recombinational properties and peculiarities of carrier transport in heavily doped poly-Si layers after annealing by scanning laser beam were studied. The effective potential barriers of grain boundaries and the main carrier transport mechanisms have been determined. A qualitative model of carrier transport in the wide temperature range (4 —300 K) is formulated | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Перколяционный механизм транспорта носителей заряда в сильнолегированных поликремниевых пленках после отжига сканирующим лазерным лучем | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1995, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.