Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/246842
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | - |
dc.contributor.author | Бондаренок, Е. А. | - |
dc.contributor.author | Дорофеев, А. М. | - |
dc.contributor.author | Самуйлов, В. А. | - |
dc.contributor.author | Троянова, Г. Н. | - |
dc.date.accessioned | 2020-07-29T09:51:58Z | - |
dc.date.available | 2020-07-29T09:51:58Z | - |
dc.date.issued | 1995 | - |
dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1995. – № 1. – С. 18-22. | ru |
dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/246842 | - |
dc.description.abstract | The experimental results on nonlinear charge transport in semi-insulating fractal-like porous silicon in high electric fields are presented. Low frequency current oscillations in porous Si have been found for the first time. This self-organized phenomena seem s to be promising as a diagnostic tool for deep levels. Porous silicon is supposed to be a new semiconductor material for functional electronic | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Процессы самоорганизации при транспорте заряда в пористом кремнии | ru |
dc.type | article | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
Располагается в коллекциях: | 1995, №1 (январь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.