Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/246358Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Андреев, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Бельский, А. М. | - |
| dc.contributor.author | Валиев, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-07-20T08:51:11Z | - |
| dc.date.available | 2020-07-20T08:51:11Z | - |
| dc.date.issued | 1996 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1996. – № 1. – С. 26-29. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/246358 | - |
| dc.description.abstract | Saturation currents in n-channal MOS FET were measured. It is shown that the saturation drain-sourse voltage decreases with increasing of dopant level. This voltage is smoller than the effective gate voltage. The explanation of the current saturation can be based on drift velocity saturation | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние уровня легирования на насыщение тока в n-канальном МОП-ПТ | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1996, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.