Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/243925
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Басалай, Никита Сергеевич | - |
dc.date.accessioned | 2020-06-11T13:55:04Z | - |
dc.date.available | 2020-06-11T13:55:04Z | - |
dc.date.issued | 2020-06 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/243925 | - |
dc.description.abstract | В работе проведено моделирование физических процессов в полупроводниковой лазерной гетероструктуре InGaAs/GaAs/AlGaAs со сверхшироким волноводом. Рассчитаны характеристики лазеров с шириной волновода 3, 4 и 5 мкм при импульсной накачке длительностью 100 нс. Дипломная работа является самостоятельно выполненным исследованием. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Полупроводниковые лазеры со сверхшироким волноводом и блокирующими слоями: аннотация к дипломной работе / Никита Сергеевич Басалай, БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – профессор Афоненко А.А. | ru |
dc.type | annotation | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.description.alternative | In this work, we simulate physical processes in an InGaAs/GaAs/AlGaAs semiconductor laser heterostructure with an ultra-wide waveguide. The characteristics of lasers with a waveguide width of 3, 4, and 5 μm for pulse pumping with a duration of 100 ns were calculated. | ru |
Располагается в коллекциях: | Физическая электроника. 2020 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Басалай-реферат .pdf | 204,09 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.