Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/243925
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБасалай, Никита Сергеевич-
dc.date.accessioned2020-06-11T13:55:04Z-
dc.date.available2020-06-11T13:55:04Z-
dc.date.issued2020-06-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/243925-
dc.description.abstractВ работе проведено моделирование физических процессов в полупроводниковой лазерной гетероструктуре InGaAs/GaAs/AlGaAs со сверхшироким волноводом. Рассчитаны характеристики лазеров с шириной волновода 3, 4 и 5 мкм при импульсной накачке длительностью 100 нс. Дипломная работа является самостоятельно выполненным исследованием.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleПолупроводниковые лазеры со сверхшироким волноводом и блокирующими слоями: аннотация к дипломной работе / Никита Сергеевич Басалай, БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – профессор Афоненко А.А.ru
dc.typeannotationru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeIn this work, we simulate physical processes in an InGaAs/GaAs/AlGaAs semiconductor laser heterostructure with an ultra-wide waveguide. The characteristics of lasers with a waveguide width of 3, 4, and 5 μm for pulse pumping with a duration of 100 ns were calculated.ru
Располагается в коллекциях:Физическая электроника. 2020

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Басалай-реферат .pdf204,09 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.