Полупроводниковые лазеры AlGaInAs/InP с блокирующими слоями: аннотация к дипломной работе / Илья Сергеевич Иванов, БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – профессор Афоненко А.А.

Иванов, Илья Сергеевич

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/243792

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Иванов, Илья Сергеевич	-
dc.date.accessioned	2020-06-10T08:29:23Z	-
dc.date.available	2020-06-10T08:29:23Z	-
dc.date.issued	2020-06	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/243792	-
dc.description.abstract	В ходе работы проведено моделирование характеристик лазерных гетероструктур на основе твердых растворов AlGaInAs/InP с узким и широким волноводом. Рассчитаны токовые зависимости выходной мощности, средней температуры активной области, коэффициента внутренних потерь и коэффициента инжекции в квантовые ямы.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	Полупроводниковые лазеры AlGaInAs/InP с блокирующими слоями: аннотация к дипломной работе / Илья Сергеевич Иванов, БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – профессор Афоненко А.А.	ru
dc.type	annotation	ru
dc.rights.license	CC BY 4.0	ru
dc.description.alternative	In the work, the characteristics of laser heterostructures based on AlGaInAs / InP solid solutions with a narrow and wide waveguide were modeled. The current dependences of the output power, the average temperature of the active region, the coefficient of internal losses, and the coefficient of injection into quantum wells are calculated.	ru
Appears in Collections:	Аэрокосмические радиоэлектронные и информационные системы и технологии. 2020

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Иванов-реферат.pdf		281,19 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar