Катодное осаждение кадмия на поверхность поликристаллического р-Se: сопоставление темнового и фотоэлектрохимического процессов

Abstract

Катодное осаждение кадмия протекает на поликристаллическом р-Se с небольшим перенапряжением (десятки милливольт) при Е < E(Cd2+/Cd). Дофазовое осаждение кадмия (в виде атомного слоя Cdad) происходит только при освещении электрода при потенциалах, превышающих равновесный потенциал системы Cd2+/Cd на 700 мВ. Этот поверхностно-лимитированный процесс характеризуется сильно затухающей скоростью катодной реакции при постоянном потенциале электрода. Параллельно с фотоэлектрохимическим формированием Cdad происходит и осаждение наночастиц CdSe на поверхность селена. На основе анализа циклических вольтамперограмм и потенциодинамических спектров импеданса установлены интервалы потенциалов анодного окисления фазы кадмия, адатомного слоя кадмия и частиц CdSe.