Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/238415
Title: Образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном ионами водорода
Other Titles: Formation and annealing of radiation defects in silicon, implanted with hydrogen ions / Yu. M. Pokotilo, A. N. Petukh, A. V. Giro
Authors: Покотило, Ю. М.
Петух, А. Н.
Гиро, А. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2019
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2019. - № 3. - С. 68-72
Abstract: Энергетический спектр уровней радиационных дефектов в эпитаксиальном кремнии n-типа, облученном ионами водорода с энергией 300 кэВ, исследовался при помощи метода DLTS (deep level transient spectroscopy). Обнаружено увеличение амплитуды пика DLTS с ростом температуры его регистрации, что свидетельствует об образовании областей скопления дефектов с невысокой плотностью смещения, меньшей исходного уровня легирования. После выдержки облученных образцов при комнатной температуре в течение нескольких месяцев данные области распадаются с образованием точечных изолированных А-, Е-центров и водородосодержащих дефектов с уровнем Ес – 0,31 эВ. Установлено, что комплексы с таким уровнем образуются путем присоединения к А-центру атомов водорода. При температуре Т > 150 °С этот дефект начинает отжигаться, и одновременно увеличивается концентрация А-центра.
Abstract (in another language): Energy spectrum of radiation defect levels in n-type epitaxial silicon irradiated with 300 keV hydrogen ions was studied by DLTS (deep level transient spectroscopy) method. The increase in the amplitude of DLTS peak with the increase in the temperature of its registration was found. This indicates the formation of areas of defects accumulation with displacement density lower initial level of doping. After exposure of irradiated samples at room temperature for several months, these areas decay with isolated point A-, E-centers and hydrogen defects with an Ec – 0.31 eV level formation. It is shown that complexes with an Ec – 0.31 eV level are formed by attaching hydrogen atoms to A-center. At Т > 150 °С, this defect begins to anneal, and at the same time A-center concentration is increased.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/238415
ISSN: 2520-2243
Scopus: 10.33581/2520-2243-2019-3-68-72
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2019, №3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
68-72.pdf412,25 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.