Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/237436
Title: Магнетизм сильно легированных водородоподобными примесями ковалентных полупроводников : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. Поклонский
Authors: Поклонский, Н. А.
Деревяго, А. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::Подразделение БГУ::Физический факультет
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Энергетика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date: 2019
Publisher: Минск : БГУ
Abstract: Объект исследования: сильно легированные полупроводниковые кристаллы антимонида индия, легированные атомами теллура, германия и мышьяка. Цель работы: исследование магнитных свойств сильно легированных водородоподобными примесями ковалентных полупроводников. Методами статистической термодинамики полупроводников проведено теоретическое исследование электронных свойств идеальных и сильно легированных полупроводников в магнитном поле. Далее на основе полученных данных (концентрации электронов с-зоны и примеси с ориентацией спина по и против направления индукции внешнего магнитного поля, положение уровня Ферми) проведено теоретическое исследование магнитной восприимчивости и энергии спин-орбитального взаимодействия для сильно легированных полупроводников в квантующих магнитных полях. В результате проведен расчет электромагнитных параметров сильно легированных полупроводниковых кристаллов n-Ge:As и n-InSb:Te в квантующем магнитном поле; показано, что при учете пространственного ограничения локализованных на примеси электронов примесная парамагнитная восприимчивость уменьшается с увеличением температуры согласно закону Кюри. Итоги расчета парамагнитной восприимчивости, учитывающей вклад электронов, локализованных на атомах мышьяка, для кристаллов германия n-типа показывают в целом удовлетворительное согласие с результатами измерений. Показано, что в целом результат расчета полной магнитной восприимчивости для n-Ge:As согласуется с результатами измерений. Выводы исследования необходимы для разработки элементной базы спинтроники. Также предлагается их использовать в учебном процессе на кафедре физики полупроводников и наноэлектроники при чтении спецкурса «Статистическая физика полупроводников».
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/237436
Registration number: № госрегистрации 20190881
Appears in Collections:Отчеты 2019

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Отчет 20190881 Поклонский.doc599,5 kBMicrosoft WordView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.