Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/237436
Title: | Магнетизм сильно легированных водородоподобными примесями ковалентных полупроводников : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. Поклонский |
Authors: | Поклонский, Н. А. Деревяго, А. Н. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::Подразделение БГУ::Физический факультет ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Энергетика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
Issue Date: | 2019 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Abstract: | Объект исследования: сильно легированные полупроводниковые кристаллы антимонида индия, легированные атомами теллура, германия и мышьяка. Цель работы: исследование магнитных свойств сильно легированных водородоподобными примесями ковалентных полупроводников. Методами статистической термодинамики полупроводников проведено теоретическое исследование электронных свойств идеальных и сильно легированных полупроводников в магнитном поле. Далее на основе полученных данных (концентрации электронов с-зоны и примеси с ориентацией спина по и против направления индукции внешнего магнитного поля, положение уровня Ферми) проведено теоретическое исследование магнитной восприимчивости и энергии спин-орбитального взаимодействия для сильно легированных полупроводников в квантующих магнитных полях. В результате проведен расчет электромагнитных параметров сильно легированных полупроводниковых кристаллов n-Ge:As и n-InSb:Te в квантующем магнитном поле; показано, что при учете пространственного ограничения локализованных на примеси электронов примесная парамагнитная восприимчивость уменьшается с увеличением температуры согласно закону Кюри. Итоги расчета парамагнитной восприимчивости, учитывающей вклад электронов, локализованных на атомах мышьяка, для кристаллов германия n-типа показывают в целом удовлетворительное согласие с результатами измерений. Показано, что в целом результат расчета полной магнитной восприимчивости для n-Ge:As согласуется с результатами измерений. Выводы исследования необходимы для разработки элементной базы спинтроники. Также предлагается их использовать в учебном процессе на кафедре физики полупроводников и наноэлектроники при чтении спецкурса «Статистическая физика полупроводников». |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/237436 |
Registration number: | № госрегистрации 20190881 |
Appears in Collections: | Отчеты 2019 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20190881 Поклонский.doc | 599,5 kB | Microsoft Word | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.