Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/237098
Title: Разработать физико-технологические режимы формирования и исследовать параметры приборных структур на основе тонких и сверхтонких нестехиометрических слоев SiNx, 3.3.02.1 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. А. Власукова
Authors: Власукова, Л. А.
Пархоменко, И. Н.
Романов, И. А.
Моховиков, М. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Abstract: Объектами исследования являются нестехиометрические пленки нитрида кремния, а также слоистые структуры SiO2/SiNx/SiO2, осажденные на кремниевые подложки методом химического газофазного осаждения. Цель работы: создание и исследование физико-технологических методов формирования тонких и сверхтонких слоев SiNx на кремниевых пластинах для последующего использования при разработке светодиодных структур, излучающих в видимом диапазоне, а также устройств энергонезависимой памяти. В результате химического газофазного осаждения (PECVD и LPCVD) изготовлены структуры SiNx/Si, SiO2/Si, SiO2/SiNx/SiO2/Si. Химический состав и оптические свойства сформированных структур были изучены с помощью эллипсометрии, сканирующей электронной микроскопии, резерфордовского обратного рассеяния, спектроскопии комбинационного рассеяния света, фото- и электролюминесценции. Выявлены зависимости люминесцентных свойств пленок нитрида кремния от условий осаждения и режимов последующих термических обработок; изготовлены тестовые структуры с активным слоем SiO2/SiN0,9/SiO2, излучающие в широком видимом диапазоне при пропускании через структуру тока плотностью ~1 мА/см2; обнаружен эффект резистивного переключения в cочетании с фото-ЭДС в сформированных структурах. Полученные результаты являются физико-технологическим базисом для замены электронной межэлементной связи в интегральных схемах на оптическую. Данные выводы вносят значительный вклад в развитие в Республике Беларусь оптоэлектроники и микроэлектроники.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/237098
Registration number: № госрегистрации 20162096
Appears in Collections:Отчеты 2018

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Отчет 20162096 Власукова.doc12,72 MBMicrosoft WordView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.