Моделирование электрофизических свойств полупроводниковых структур с низкоразмерным электронным газом. По заданию 2.53 «Разработка методов формирования, исследование и моделирование мультислойных тонкопленочных наногетероструктур на основе графена, 2D-слоев дихалькогенидов переходных металлов и перовскитов для создания элементной базы нового поколения приборов и устройств наноэлектроники и фотоники, а именно - диодных и МДП наногетероструктур, фотоэлектронных преобразователей, газовых сенсоров, детекторов ионизирующего излучения». ГПНИ «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов

Abstract

Объект исследования: полупроводниковые структуры с квазиодномерным электронным газом. Цель НИР: разработка физико-математических моделей, алгоритмов и программных средств для моделирования электрофизических свойств полупроводниковых структур с низкоразмерным электронным газом. В результате созданы физико-математические модели процессов переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах с квазиодномерным электронным газом (квантовых проволоках); разработаны алгоритмы и программные средства численного моделирования процессов переноса носителей заряда в полупроводниковых квантовых проволоках; проведен вычислительный эксперимент по расчету электрофизических свойств полупроводниковых квантовых проволок. Полученные итоги могут быть использованы при проектировании и оптимизации характеристик элементов интегральных схем на основе полупроводниковых структур с квазиодномерным электронным газом.