Численное моделирование процессов образования и рассасывания лавины носителей заряда в кремниевых диодах-генераторах шума. По заданию 3.2.02: «Исследование и разработка конструкции и технологии создания низкотемпературных и других специализированных аналоговых интегральных схем, приемо-передающих модулей миллиметрового диапазона, генераторных шумовых диодов для контрольно-измерительной аппаратуры и специальных радиотехнических систем» ГПНИ «Электроника и фотоника» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов

Abstract

Объект исследования: субмикронный кремниевый диод. Цель работы: создание физико-математических моделей, алгоритмов и программных средств моделирования переноса носителей заряда и токовых флуктуаций, связанных с лавинным умножением носителей заряда в полупроводниковых кремниевых диодах-генераторах шума. В результате проведенной НИР разработаны физико-математические модели процессов переноса носителей заряда в полупроводниковых кремниевых диодах; созданы физико-математические модели, описывающие процессы образования и рассасывания лавины носителей заряда в полупроводниковых кремниевых диодах; внедрены алгоритмы и программные средства численного моделирования токовых флуктуаций и шумовых характеристик в кремниевых диодах-генераторах шума. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании и производстве интегральных кремниевых диодов.