Спектральные исследования влияния расфокусировки на процессы образования AlO и AlN в плазме при воздействии лазерных импульсов на алюминиевый сплав Д16Т в атмосфере воздуха

Abstract

В настоящее время материалами, перспективными для применения в микроэлектронике и оптоэлектронике в качестве диэлектрических теплоотводящих подложек, являются оксиды и нитриды алюминия и керамические материалы на их основе. AlN имеет высокую теплопроводность, сравнимую с теплопроводностью меди и серебра при высоких значениях электрического сопротивления. Ширина запрещенной зоны у AlN примерно равна 6,2 эВ.