Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/23419
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Рабчинский, С. М. | - |
dc.contributor.author | Рагойша, Г. А. | - |
dc.contributor.author | Стрельцов, Е. А. | - |
dc.date.accessioned | 2012-11-14T11:08:00Z | - |
dc.date.available | 2012-11-14T11:08:00Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.citation | Свиридовские чтения: Сб. ст. Вып. 6. | ru |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/23419 | - |
dc.description | Cathodic deposition of cadmium on polycrystalline р-Se proceeds at low overpotential few tens of millivolt below E(Cd2+/Cd). Cadmium atomic layer Cdad is cathodically deposited only on the illuminated electrode at 700 mV above E(Cd2+/Cd). The surface limited cathodic reaction decays fast at a constant potential. CdSe nanoparticles are deposited on Se surface simultaneously with Cdad photoelectrochemical formation. Potential ranges of Cd, Cdad and CdSe anodic oxidation on selenium have been determined by analysis of cyclic voltammograms and potentiodynamic electrochemical impedance spectra. | ru |
dc.description.abstract | Катодное осаждение кадмия протекает на поликристаллическом р-Se с небольшим перенапряжением (десятки милливольт) при E < E(Cd2+/Cd). Дофазовое осаждение кадмия (в виде атомного слоя Cdad) происходит только при освещении электрода при потенциалах, превышающих равновесный потенциал системы Cd2+/Cd на 700 мВ. Этот поверхностно-лимитированный процесс характеризуется сильно затухающей скоростью катодной реакции при постоянном потенциале электрода. Параллельно с фотоэлектрохимическим формированием Cdad происходит и осаждение наночастиц CdSe на поверхность селена. На основе анализа циклических вольтамперограмм и потенциодинамических спектров импеданса установлены интервалы потенциалов анодного окисления фазы кадмия, адатомного слоя кадмия и частиц CdSe. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск: БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия | ru |
dc.title | Катодное осаждение кадмия на поверхность поликристаллического р-Se: сопоставление темнового и фотоэлектрохимического процессов | ru |
dc.title.alternative | Cadmium cathodic deposition on polycrystalline р-Se: comparison of dark and photoelectrochemical processes | ru |
dc.type | Article | ru |
Располагается в коллекциях: | Статьи химического факультета |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
С. М. Рабчинский, Г. А. Рагойша, Е. А. Стрельцов - Катодное осаждение кадмия на поверхность поликрист. р-Se. Сопоставление темнового и фотоэлектрохим. пр-сов.pdf | 503,51 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.