Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233960Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Баран, Л. В. | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-13T10:39:49Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-13T10:39:49Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 353-355. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233960 | - |
| dc.description | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of Nanomaterials and Nanostructures | |
| dc.description.abstract | Методами растровой электронной микроскопии, рентгенофазового и рентгеноспектрального анализа, оже-спектроскопии изучались изменения структуры, фазового и элементного состава имплантированных ионами В+ (Е = 80 кэВ, Ф = 1·10 16 ион/см2) пленок Cu-C 60 -Cu после термического отжига в вакууме. Установлено, что термический отжиг имплантированнных пленок приводит к рекристаллизации фуллеритовой фазы и образованию новой фазы Cu x C 60 в виде наностержней. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Образование наноструктур в пленках медь-фуллерит, имплантированных ионами бора | |
| dc.title.alternative | Nanostructure Formation in Copper-Fullerite Films Implanted with Boron Ions / Liudmila V. Baran | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Methods of raster electronic microscopy, XRD phase analysis and X-ray spectroscopic microanalysis, auge-spectroscopy were studied changes of structure, phase and element composition implanted with boron ions (Е = 80 keV, D = 1·10 16 ions /sm2) Cu-C 60 - Cu films after thermal annealing in vacuum. Copper-fullerite films were obtained by means of thermal sputtering in vacuum using a VUP-5M sputtering unit. As the initial components, fullerene powder C 60 (99.9% purity) and copper (chemical purity grade) were used; as the substrate, we used oxidized (111) monocrystalline silicon wafers. The thickness of the lower copper layer was 220 nm, the thickness of the fullerite film was 250 nm, and the upper copper layer was 150 nm thick. It is established, that thermal annealing of implanted films results into the recrystallization of the fullerite phase and the formation of new Cu x C 60 phase as nanocores. | |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 353-355.pdf | 431,72 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.