Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233945| Заглавие документа: | Водородный перенос слоев кремния на сапфир и кремний c HIGH-K PEALD нанослоями диэлектриков |
| Другое заглавие: | Hydrogen Transfer of Silicon Layers on Sapphire and Silicon with High-K Nanolayers of PEALD Dielectrics / V.P. Popov, V.A. Antonov, A.K. Gutakovskiy, I.E. Tyschenko, A.V. Miakonkhich, K.V. Rudenko |
| Авторы: | Попов, В. П. Антонов, В. А. Гутаковский, А. К. Тысченко, И. Е. Мяконьких, А. В. Руденко, К. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 308-311. |
| Аннотация: | Перенос тонких слоев кремния имплантированным водородом на диэлектрические или полупроводниковые подложки для создания гетероструктур должен обеспечивать соединение неизоструктурных материалов с различными коэффициентами термического расширения, чтобы можно было проводить отжиг дефектов и технологические операции при повышенных температурах. Исходно аморфные слои диэлектриков, нанесенные на подложки методом плазменностимулированного атомно-слоевого осаждения (ПС АСО) также содержат водород в концентрации несколько ат.%, который наряду с имплантированным водородом, диффундирующим к границе сращивания, приводит к образованию блистеров и отслаиванию пленки кремния при высокотемпературном отжиге. Предварительной имплантацией ионов с E/M =28 отн.ед. из атмосферы в подложку удалось обеспечить геттерирование и связывание водорода внутри нарушенного имплантацией слоя подложки, что предотвратило формирование водородных блистеров на поверхности при последующих термообработках структур кремний-на-изоляторе (КНИ) и кремний-на-сапфире (КНС) с ультратонкими межслойными слоями high-k диэлектриков. Подвижность носителей заряда в слоях кремния таких гетероструктур, измеренная методом Y-функции в псевдо-МОП транзисторах, лишь незначительно уступает подвижности в объемном кремнии. |
| Аннотация (на другом языке): | The transfer of thin layers of silicon by implanted hydrogen ions on dielectric (sapphire, silicon dioxide) or semiconductor (silicon with thin oxide layers) substrates for heterostructures must be able to bond the materials with different coefficients of thermal expansion, to allow annealing of defects and technological operations at elevated temperatures. Initially amorphous dielectric layers deposited on the substrate by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) also contain hydrogen in a concentration of several at.%, which along with the implanted and diffused to the bonding interface leads to the formation of blisters and flaking of the silicon film at high temperature annealing. Pre-implantation of ions with E/M =28 arb. un. from the atmosphere to the substrate with fluence higher than 1*10 16 cm-2 and subsequent thermal treatment at the temperatures higher than 600 o C allows to getter and bind hydrogen atoms in the layer disturbed by implantation inside the substrate, which prevented the formation of hydrogen blisters on the bonding interface during subsequent heat treatment of silicon-on-insulator (SOI) and silicon-on-sapphire (SOS) structures with ultra-thin interlayer stacks of high-k dielectrics. This procedure allows producing SOI heterostructures with ultrathin buried oxide (UTBOX) high-k dielectric layers. The equivalent oxide thickness of buried oxide (BOX) layers relative to the silicon dioxide is below 5 nm for such heterostructures. The measured by the Y-function method mobility of charge carriers in pseudo-MOSFETs on silicon layers of the high-k SOI heterostructures is few times inferior to the mobility in bulk silicon. |
| Доп. сведения: | Секция 3. Модификация свойств материалов = Section 3. Modification of Material Properties |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233945 |
| ISSN: | 2663-9939 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ № 18-42-540008 и № 19-29-03031. |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 308-311.pdf | 502,22 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.