Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233920| Заглавие документа: | Влияние толщины на диэлектрические характеристики пленок оксида тантала в структурах метал-оксид-полупроводник |
| Другое заглавие: | Influence of Thickness on the Dielectric Characteristics of Tantalum Oxide Thin Films in the Structures Metal-Oxide-Semiconductor / Nomar Villa, Dmitriy Golosov, Xiubo Tian, Tuyen Nguyen, Sergei Melnikov, Sergey Zavadski |
| Авторы: | Вилья, Н. Голосов, Д. А. Tian, Xiubo Нгуен, Т. Д. Мельников, С. Н. Завадский, С. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 228-231. |
| Аннотация: | Проведены исследования влияния параметров процесса реактивного магнетронного распыления и толщины нанесенных слоев на диэлектрические характеристики пленок оксида тантала. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, ширины запрещенной зоны от содержания кислорода в Ar/O2 смеси газов в процессе нанесения пленок. Получены пленки с диэлектрической проницаемостью 12 – 30 единиц, тангенсом угла диэлектрических потерь 0.01, и шириной запрещенной зоны 4.5 – 4.85 эВ. Уменьшение толщины пленки оксида тантала приводит к уменьшению значений диэлектрической проницаемости и увеличению диэлектрических потерь на высоких частотах. При толщине диэлектрика 6 нм диэлектрическая проницаемость пленок составляла 4.5 единицы при тангенсе угла диэлектрических потерь 0.28 на частоте 1 МГц. |
| Аннотация (на другом языке): | The influence of the parameters of the reactive magnetron sputtering process and the thickness of the films on the dielectric characteristics of tantalum oxide thin films has been studied. The dependences of the dielectric constant, the dielectric loss tangent, and the band gap on the oxygen content of the Ar/O2 gas mixture during film deposition were established. Films with a dielectric constant of 12–30 units, a dielectric loss tangent of 0.01, and a band gap of 4.5–4.85 eV were obtained. A decrease in the thickness of the tantalum oxide film leads to a decrease in the values of the dielectric constant and an increase in the dielectric loss at high frequencies. With a dielectric thickness of 6 nm, the dielectric constant of the films was 4.5 units with a dielectric loss tangent of 0.28 at a frequency of 1 MHz. |
| Доп. сведения: | Секция 3. Модификация свойств материалов = Section 3. Modification of Material Properties |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233920 |
| ISSN: | 2663-9939 |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнены при финансовой поддержке БРФФИ в рамках научного проекта № T18КИ-013 и National Natural Science Foundation of China в рамках научного проекта № 51811530059. |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 228-231.pdf | 471,25 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.