Исследование влияния имплантации низкоэнергетическими ионами на структурные свойства керамики SiC

Abstract

В работе представлены результаты изменения структурных свойств керамик на основе SiC в результате облучения тяжелыми ионами Ni12+ c энергией 20 кэВ/заряд и флюенсом 10 14 и 5х10 14 ион/см2. В ходе исследования установлены зависимости изменения морфологии поверхности исследуемых керамик в зависимости от флюенса облучения. Согласно полученным данным, при взаимодействии налетающих ионов с веществом, на поверхности образуются области с повышенным содержанием углерода. Данные области представляют собой скопление дефектов и деформированных участков керамики. При этом увеличение флюенса облучения до 5х10 14 ион/см 2 приводит к имплантации ионов никеля в кристаллическую структуру приповерхностного слоя. Согласно данным энергодисперсионного анализа содержание имплантированного никеля составляет 0.03-0.05 ат. %. При этом облучение и последующая имплантация никеля приводит к изменению параметров и объема кристаллической решетки, что свидетельствует об изменении плотности керамики.