Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233900Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Покотило, Ю. М. | |
| dc.contributor.author | Петух, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Свито, И. А. | |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Гиро, А. В. | |
| dc.contributor.author | Шестовский, Д. В. | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-13T10:39:38Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-13T10:39:38Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 166-168. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233900 | - |
| dc.description | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids | |
| dc.description.abstract | Исследовалась радиационная стойкость кремниевых детекторов ионизирующего и оптического излучений при воздействии электронов с энергией 6 МэВ и гамма-квантами 60 Со. Определены константы радиационного повреждения времени жизни и коэффициент радиационного повреждения обратного тока. Показано, что токовая чувствительность фотодиодов описывается линейной функцией в широком диапазоне потоков облучения. Однако ее величина экспоненциально уменьшается с ростом потока облучения. Температура измерения не влияет на линейность люкс-амперной характеристики. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Радиационная стойкость кремниевых детекторов излучения | |
| dc.title.alternative | Radiation Resistance of Silicon Radiation Detectors / Yu.M. Pokotilo, A.N. Petukh, A.V. Giro, I.A. Svito, S.B. Lastovskii, D.V. Shestovskii | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The radiation resistance of silicon detectors of ionizing and optical radiation at exposure to electrons with energy of 6 MeV and 60 Co gamma rays. The constants of radiation damage to life Ke = 1.8·10 -8 cm2·s -1 and Kr = 8.8·10 -12 cm2·s -1, the coefficient of radiation damage to reverse current К = 2·10 -25 A·cm-2 are determined. It is shown that the current sensitivity of photodiodes is described by a linear function in a wide range of radiation fluxes. However, its value decreases exponentially with increasing flux of radiation S = A0·exp(-Ф/Ф1), А = 0.43, Ф1 = 4.3·10 15 cm-2 . Temperature measurement does not affect the linearity of lux-ampere characteristic. | |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 166-168.pdf | 546,26 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.