Влияние ионизирующего излучения на характеристики приборов полупроводниковой электроники

Abstract

В настоящей работе рассмотрены радиационные эффекты, возникающие в полупроводниковых материалах при воздействии на них ионизирующих излучений различного типа и энергии. Показаны механизмы, посредством которых происходят изменения рабочих характеристик полупроводниковых приборов. Разработана физико-математическая модель радиационных повреждений биполярных транзисторов. Реализован метод расчета распределения неравновесных носителей заряда по рабочим областям биполярного транзистора как в одномерном, так и в двумерном приближении. Выявлены различия в радиационной стойкости транзисторов, работающих в разных режимах и с разной топологией, и определены их оптимальные значения. Приведены основные результаты моделирования, которые показывают хорошее соответствие с экспериментальными данными.