Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/233897
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМакаренко, Л. Ф.
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.
dc.contributor.authorЯкушевич, А. С.
dc.contributor.authorМолл, М.
dc.contributor.authorПинтилие, И.
dc.contributor.authorГаубас, Э.
dc.contributor.authorПавлов, Е. А.
dc.date.accessioned2019-11-13T10:39:37Z-
dc.date.available2019-11-13T10:39:37Z-
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 156-159.
dc.identifier.issn2663-9939
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/233897-
dc.descriptionСекция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids
dc.description.abstractМетодом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) проведено сравнительное изучение влияния инжекции электронов на отжиг двух боросодержащих радиационных дефектов – междоузельного атома бора (Bi) и комплекса междоузельный бор – междоузельный кислород (BiOi). Определены параметры инжекционного отжига: плотности тока, необходимые для исчезновения дефектов при различных температурах, и энергии активации рекомбинационно-стимулированного отжига. Показано, что, несмотря на различие в количественных характеристиках, имеет место качественно одинаковое поведение обоих центров при инжекционном отжиге. Предполагается, что качественные характеристики определяются тем фактом, что оба дефекта Bi и BiOi имеют инверсный порядок следования уровней заполнения.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleРекомбинационно-стимулированные процессы взаимодействия междоузельных дефектов в кремнии, облученном альфа-частицами
dc.title.alternativeRecombination Enhanced Processes of Interstitial Defect Reactions in Silicon Irradiated with Alpha-Particles / L.F. Makarenko, S.B. Lastovskii, H.S. Yakushevich, M. Moll, I. Pintilie, E. Gaubas, J.A. Pavlov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeDeep Level Transient Spectroscopy (DLTS) has been used for comparative studying the effect of electron injection on two boron-containing radiation defects annealing – an interstitial boron atom (Bi) and an interstitial boron – interstitial oxygen (BiOi) complex. The injection annealing parameters, such as the current densities necessary for the disappearance of defects at different temperatures and the activation energy of the recombination-enhanced annealing, have been determined. It has been shown that despite the difference in quantitative characteristics, there is a qualitatively identical behavior of both centers during injection annealing. It is assumed that the qualitative characteristics correspond to the fact that both Bi and BiOi defects have an inverse sequence of filling levels.
Располагается в коллекциях:2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
156-159.pdf553,76 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.