Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233893Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Казючиц, Н. М. | |
| dc.contributor.author | Королик, О. В. | |
| dc.contributor.author | Русецкий, М. С. | |
| dc.contributor.author | Казючиц, В. Н. | |
| dc.contributor.author | Кирилкин, Н. С. | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-13T10:39:36Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-13T10:39:36Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 147-149. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233893 | - |
| dc.description | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids | |
| dc.description.abstract | Методом комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы накопление и распределение радиационных повреждений в алмазе, имплантированном ионами Хе с энергией 167 МэВ. Вследствие радиационного повреждения алмазной решетки доминирующая линия КРС 1332 см-1 уменьшилась по интенсивности, ассиметрично уширилась и сместилась к меньшим частотам. С ростом флюенса облучения наблюдалось также уширение и низкочастотное смещение линий КРС от собственных дефектов в имплантированном слое. Установлена критическая концентрация вакансий, соответствующая аморфизации алмаза при облучении ионами Хе с энергией 167 МэВ. Показаны распределения напряжений за имплантированным слоем. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Распределение по глубине характеристик рамановского рассеяния в облученных ионами ксенона алмазах | |
| dc.title.alternative | Depth Prifiles of Raman Scattering Lines in Diamonds Irradiated with Xenon Ions / Nikolai Kazuchits, Olga Korolik, Mikhail Rusetsky, Vasili Kazuchits, Nikita Kirilkin | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Accumulation of radiation damage and their depth profiles in diamonds implanted with 167 MeV xenon ions were studied using Raman scattering. Due to the radiation damage, dominating Raman line (1332 cm-1) decreased, asymmetrically broadened and shifted to lower frequencies. Raman lines associated with intrinsic defects demonstrate broadening and low-frequency shift with irradiation fluence increase. Critical vacancy concentration for diamond amorphization by 167 MeV xenon ions was determined. The stresses propagating behind the implanted layer to the sample depth were detected. | |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 147-149.pdf | 408,38 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.